인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 전력 시스템 설계자들의 다양한 설계 요구를 충족하고 최소 공간으로 최대 성능을 달성할 수 있는 새로운 전력 MOSFET 패키지를 선보였다.
TOLG·TOLT, 견고성·열 성능 향상…최소 공간 최대 성능
인피니언 테크놀로지스(코리아 대표이사 이승수)가 전력 시스템 설계자들의 다양한 설계 요구를 충족하고 최소 공간으로 최대 성능을 달성할 수 있는 새로운 전력 MOSFET 패키지를 선보였다.
인피니언은 혁신적 TOLL(TO-Leadless) 패키지를 기반으로 한 TOLG(TO-Leaded with Gullwing leads) 및 TOLT(TO-Leaded Top-side cooling) 2종의 OptiMOS™ 전력 MOSFET 패키지를 출시한다고 15일 밝혔다.
TOLx 제품군은 매우 낮은 RDS(on) 및 300A 이상의 고전류 정격을 제공해 고전력 밀도 설계에서 시스템 효율을 향상한다.
TOLG 패키지는 TOLL 및 D2PAK 7핀 패키지의 최고의 기능을 결합해 TOLL과 동일한 10x11㎟ 풋프린트와 전기적 성능을 공유하면서 D2PAK 7핀에 버금가는 유연성을 제공한다.
TOLG의 주요 장점은 알루미늄 절연 금속 기판(Al-IMS) 보드를 사용하는 설계에서 특히 명확하게 나타난다. 이 설계에서 온도 변화에 따라 물질의 형태가 변하는 경향을 설명하는 열팽창 계수(CTE)는 구리 절연 금속 기판 및 FR4 보드보다 높다.
시간이 지나면서 TCoB(temperature cycling on board)는 패키지와 PCB 사이의 솔더 조인트에 균열을 일으킨다.
TOLG는 걸윙(갈매기 날개 모양) 리드의 유연성으로 탁월한 솔더 조인트 견고성을 보여줘 반복적인 온도 사이클이 발생하는 애플리케이션에서 제품 신뢰성을 크게 높인다.
새로운 패키지는 IPC-9701 표준 요구사항보다 두 배 높은 TCoB 성능을 달성한다.
TOLT 패키지는 우수한 열 성능을 위해 최적화됐다. 리드 프레임을 뒤집어 노출된 금속을 상단면에 배치한 이 패키지는 각 면에 여러 개의 걸윙 리드가 있어 고전류 전달 드레인 및 소스 연결을 제공한다. 뒤집힌 리드 프레임으로 열은 노출된 금속 상단면에서 절연재를 통과해 히트싱크로 직접 전달된다. TOLT는 TOLL 하단면 냉각 패키지와 비교해 RthJA를 20%, RthJC를 50% 향상하므로 냉각에 필요한 비용을 줄일 수 있다. 또한 TOLT OptiMOS 제품을 MOSFET 하단에 탑재할 수 있어 PCB 공간을 줄일 수 있다.
OptiMOS TOLx 제품군은 OptiMOS 3 및 5 기술의 다양한 전압 등급으로 제공된다. TOLG는 2021년 4분기에 60V∼250V로 출시될 예정이다. TOLT는 현재 80V 및 100V 전압 등급으로 제공된다. TOLG 패키지의 100V OptiMOS 5 전력 MOSFET을 포함하는 평가 전원 보드도 제공된다(IPTG014N10M5).