1500V DC 링크 지원 XHP™ 2 모듈 공개, 전력 밀도 300kW/L 구현
인피니언 테크놀로지스는 2300V SiC MOSFET을 적용한 XHP™ 2 전력 모듈을 통해 고전압 에너지 시스템에서 효율과 전력 밀도를 동시에 개선할 수 있는 기반을 제시했다.
인피니언은 13일 최대 1500V DC 링크 전압을 지원하는 XHP™ 2 CoolSiC™ 전력 모듈을 출시했다고 밝혔다.
최근 재생에너지 확대와 함께 전력 변환 시스템의 고전압화가 주요 흐름으로 자리 잡고 있다. 전압이 높아질수록 전류를 줄일 수 있어 시스템 효율을 개선할 수 있기 때문이다. 이에 따라 고전압 환경에서도 안정적으로 동작하는 전력 반도체에 대한 요구가 커지고 있다.
이번 제품은 실리콘 카바이드(SiC) 기반의 2300V MOSFET을 적용해 기존 실리콘 소자 대비 스위칭 손실과 도통 손실을 동시에 낮춘 것이 특징이다. 1mΩ에서 2mΩ 수준의 온저항(RDS(on))과 4kV 또는 6kV 절연 전압 옵션을 제공하며, 대칭 스위칭 구조를 통해 병렬 구성이 용이하도록 설계됐다.
이러한 기술적 특성은 시스템 수준에서 효율 향상과 소형화로 이어진다. 인버터는 더 높은 스위칭 주파수로 동작할 수 있어 고조파를 줄일 수 있으며, 동일 출력 기준으로 장비 크기를 줄이거나 전력 밀도를 높일 수 있다.
적용 분야는 풍력, 태양광, 배터리 에너지 저장 시스템 등 고전압 기반의 신재생에너지 설비다. 표준화된 XHP 2 패키지는 다양한 애플리케이션 요구에 따라 성능과 효율 간 균형을 조정할 수 있도록 설계됐다.
또한 .XT 인터커넥션 기술을 적용해 열 및 기계적 스트레스에 대한 내구성을 확보했으며, 사전 도포된 열전도 인터페이스 소재(TIM) 옵션을 통해 조립 공정을 단순화하고 열 성능의 일관성을 유지할 수 있도록 했다.
실제 성능 검증에서도 개선 효과가 확인됐다. 풍력 발전 데모 시스템에서는 300kW/L 수준의 전력 밀도를 구현했으며, 배터리 저장 시스템 테스트에서는 반도체 손실이 전체 출력 대비 0.7% 미만으로 나타났다. 이는 고전압 전력 변환 시스템에서 효율 개선과 손실 저감이 동시에 가능함을 보여주는 지표로 해석된다.