차세대 D램 규격, DDR5는 DDR4 대비 성능이 2배다. 데이터 전송 속도가 7200Mbps 수준에 이르러 1초에 30GB 용량 UHD 영화 2편을 처리할 수 있다. 삼성전자는 HKMG 공정과 8단 TSV 기술을 D램 최초로 적용한 업계 최대 용량의 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다.
삼성전자, 512GB DDR5 메모리 모듈 개발
HKMG 공정, 8단 TSV 기술 D램 최초 적용
인텔, DDR5 지원 제온 프로세서 하반기 공개
차세대 D램 규격, DDR5는 DDR4 대비 성능이 2배다. 데이터 전송 속도가 7200Mbps 수준에 이르러 1초에 30GB 용량 UHD 영화 2편을 처리할 수 있다.
삼성전자는 25일, ‘하이케이 메탈 게이트(High-K Metal Gate,; HKMG)’ 공정을 적용한 업계 최대 용량의 512GB DDR5 메모리 모듈을 개발했다.
▲ 삼성전자 512GB DDR5 메모리 모듈 [사진=삼성전자]
삼성전자가 개발한 DDR5 메모리는 공정 미세화에 따른 누설 전류를 막기 위해 유전율 상수(K)가 높은 물질을 공정에 적용해 고성능과 저전력을 함께 구현했다. HKMG 적용 DDR5 메모리 모듈은 기존 공정과 비교해 전력 소모가 약 13% 감소해 데이터센터와 같이 전력 효율이 중요한 곳에서 적합할 것으로 기대된다.
또한, 이번 제품에는 8단 실리콘 관통 전극(Through Silicon Via; TSV) 기술이 적용됐다. 삼성전자는 고용량 메모리 시장 확대와 데이터 기반 응용처 확산에 따라 16Gb(기가비트) 기반 8단 TSV 기술을 이번 DDR5 512GB 모듈에 적용했다.
한편, 인텔의 캐럴린 듀란(Carolyn Duran) 메모리 및 IO 기술 총괄 부사장은 “현재 DDR5 메모리와 호환되는 ‘사파이어 래피즈(Sapphire Rapids) 인텔 제온 스케일러블(Intel® Xeon® Scalable)’ 프로세서 개발을 위해 삼성전자와 협력하고 있다”라고 밝혔다. 사파이어 래피즈 프로세서는 올 하반기 출시 예정이다.
삼성전자 관계자는 HKMG 공정과 8단 TSV 기술이 적용된 고용량 DDR5 메모리를 차세대 컴퓨팅 시장의 고객 수요에 따라 알맞을 때 상용화할 계획이라 밝혔다.