차세대 도시바 ‘BiCS FLASH’, 3비트/셀(TLC) 기술 포함

도시바 코퍼레이션(Toshiba Corporation)이 적층 셀 구조*의 차세대 BiCS FLASH™ 3차원(3D) 플래시 메모리를 공개했다.

세계 최초 64층 적층 제품의 샘플 출하가 시작된다. 이 새로운 기기는 3비트/셀(TLC) 기술을 포함하고 256기가비트(32기가바이트) 용량을 보유하고 있으며, 이는 도시바의 독자적인 아키텍처의 잠재력을 입증하는 사례이다. 도시바는 BiCS FLASH™ 개선을 지속해 이후 64층 적층의 512기가비트(64기가바이트) 제품 출시를 다음 목표로 계획하고 있다. 

이 제품은 기존의 48층 BiCS FLASH™를 이은 제품으로 최첨단의 64층 적층 공정을 이용해 48층 적층 공정에 비해 칩의 면적 당 40% 늘어난 용량을 실현하고 비트 당 소요되는 비용을 줄이고 실리콘 웨이퍼 한 장당 생산되는 메모리 용량이 증가했다. 64층 BiCS FLASH™는 까다로운 성능 사양을 충족할 수 있고, 기업 및 소비자 SSD, 스마트폰, 태블릿, 메모리카드 등 각종 응용프로그램에 사용될 수 있다. 

2007년 6월 세계 최초의 프로토타입 3D 플래시메모리 기술을 공개한 이후, 도시바는 기술 개발을 지속해왔다. 회사는 현재 용량의 대형화와 사이즈의 소형화 요구를 충족하는 BiCS FLASH™ 개발에 매진하고 있다. 

도시바는 이달 초 공식적으로 문을 연 요카이치 공장(Yokkaichi Operations)의 뉴팹2(New Fab 2)에서 새로운 64층 BiCS FLASH™를 생산하게 된다. 64층 BiCS FLASH™의 양산은 2017년 상반기에 시작될 예정이다.