Infineon Launches CoolSiC Schottky 1200V G5 Diodes
Published2019.06.10 10:11| The surface distance and the clearance distance increased to 8.7mm
| PFC and DC-DC stage output increased by 40%
On the 10th, Infineon Technologies launched the 'CoolSiC Schottky 1200V G5 diode' provided in the TO247-2 package.
The new product achieves higher efficiency by replacing existing silicon diodes with CoolSiC diodes.
The increased creepage distance and clearance of 8.7 mm enhance safety even in highly polluted environments.
It provides a rated current of up to 40A, making it suitable for EV DC charging, solar energy systems, UPS (Uninterruptible Power Supply system), and other industrial applications.
Using silicon IGBTs or super-junction MOSFETs with CoolSiC Schottky 1200V G5 diodes can increase efficiency by up to 1% compared to using silicon diodes alone.
For the Vienna rectifier stage or PFC boost stage of a 3-phase conversion system, the PFC or DC-DC stageThe output power can be increased by more than 40%.
CoolSiC Schottky 1200V G5 diodes feature minimal reverse recovery loss, best-in-class forward voltage (VF), minimal temperature-dependent VF increase, and high surge current capability.
CoolSiC Schottky 1200V G5 diodes rated at 10A with high efficiency can replace 30A silicon diodes.
CoolSiC Schottky 1200V G5 diodes in the TO247-2 package are available in five current ratings: 10A, 15A, 20A, 30A and 40A and are available for order now.
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좋은 정보 감사합니다