STMicroelectronics(이하 ST)가 강화 갈바닉 절연 기반의 STGAP3S 게이트 드라이버 제품군에 3A 출력 시리즈를 추가했다. 낮은 게이트 구동 전류를 요구하는 회로에서 설계 간소화와 부품 비용 절감을 동시에 실현할 수 있다고 ST는 밝혔다.

ST는 31일 STGAP3S 제품군 확장을 공개했다.

신규 출시된 STGAP3S3S는 SiC MOSFET 구동에, STGAP3S3IF는 IGBT 구동에 각각 최적화됐다.

두 제품 모두 SO16W 와이드 바디 패키지로 제공되며, 1,000개 주문 기준 개당 1.93달러부터 구매 가능하다.

STGAP3S 전 제품은 최대 1,200V 고전압 레일을 지원하며, 최대 9.6kV 과도 전압 보호와 최대 200V/ns 공통 모드 과도 내성(CMTI)을 제공한다.

UL 1577·IEC 60,747-17 등 국제 안전 인증을 획득해 고전압 환경에서의 장기 신뢰성을 확보했다.

적용 분야는 △충전소 △에너지 저장 시스템(ESS) △태양광 인버터 △산업용 전기차 △인덕션 가열 장비 △범용 드라이브·펌프·팬 등이다.

STGAP3S3 시리즈는 클램핑 MOSFET을 포함한 완전한 액티브 밀러 클램프를 내장해 전력 스위치의 유도 턴온과 슛스루(Shoot-through) 전류를 억제한다.

MOSFET을 칩 내부에 통합한 덕분에 PCB 면적과 부품원가(BOM)를 줄일 수 있다.

반면 6A STGAP3S6 및 10A STGAP3SX 시리즈는 외부 MOSFET용 프리드라이버를 탑재해 클램핑 속도 조정 유연성을 높였다.

전 제품에는 △불포화 검출(Desaturation Detection)을 통한 소프트 턴오프 △저전압 차단(UVLO) △과열 차단 기능 진단 핀이 탑재됐다.

또한 음의 게이트 전압을 지원해 의도치 않은 턴온 방지와 안정적인 스위칭을 보장한다.

신규 3A 모델용 평가 보드 EVLSTGAP3S3S·EVLSTGAP3S3IF도 함께 제공된다.

두 보드 모두 보호 기능이 사전 구성된 하프 브리지(Half-Bridge) 구조로, 테스트 포인트와 진단 LED를 갖췄다.

STGAP3S 전 제품군은 현재 양산 중이다.