어플라이드 머티어리얼즈가 2나노 이하 게이트올어라운드(GAA) 공정을 겨냥한 증착 장비 2종을 발표했다. 이번에 공개한 장비는 Precision 선택적 질화막 PECVD와 Endura Trillium ALD로, 회사는 두 장비가 GAA 트랜지스터의 미세 구조 형성에 쓰인다고 설명했다.

4월 14일 발표된 이번 장비는 절연 구조 보호와 메탈 게이트 형성이라는 두 공정에 초점이 맞춰졌다. 회사에 따르면 Precision 선택적 질화막 PECVD는 인접 트랜지스터를 분리하는 STI 구조를 보호하기 위해 필요한 위치에만 실리콘 질화막을 형성하는 방식이다. 후속 공정에서 절연막 손상을 줄여 기생 커패시턴스와 누설을 낮추는 데 목적이 있다.

Endura Trillium ALD는 실리콘 나노시트를 감싸는 메탈 게이트 스택 형성에 적용된다. 여러 금속 증착 단계를 단일 플랫폼에 통합해 복잡한 GAA 구조 안에 금속층을 정밀하게 쌓도록 설계됐으며, 트랜지스터의 임계 전압 조정에 필요한 공정 유연성을 높이는 데 초점이 맞춰졌다.

이번 발표는 AI 컴퓨팅 확산으로 고성능·고효율 로직 칩 수요가 커지는 가운데, 2나노 이하 공정에서 요구되는 미세 구조 제어 기술을 겨냥한 것으로 풀이된다. 회사는 두 장비 모두 선도적인 로직 칩 제조사의 2나노 이하 GAA 공정에 적용되고 있다고 밝혔다.