삼성전자가 차세대 3D 메모리 아키텍처 목업을 처음으로 공개하며 AI 인프라 대응 기술 전략을 구체화했다. 기존 적층 방식의 물리적 한계를 넘는 수직 통합 구조와 초고적층 NAND 기술을 전면에 내세워 메모리 기술 경쟁력을 제시했다.

삼성전자는 5일 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열린 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’(8월 4~6일)에 참가해 차세대 3D 메모리 아키텍처 zHBM과 zNAND-O의 목업을 공개했다고 밝혔다.

이진엽 Flash개발실 부사장과 김경륜 D램개발실 상무가 기조연설에 나서 차세대 메모리 기술 비전과 AI 인프라 대응 로드맵을 소개했다.

zHBM은 AI 가속기(xPU) 상단에 HBM을 수직으로 적층하는 구조로, 기존 가속기 옆에 HBM을 배치하는 방식 대비 데이터 이동 거리를 줄여 대역폭과 전력효율을 높인 차세대 아키텍처다.

삼성전자에 따르면 zHBM 적용 시스템은 HBM5 대비 최대 8배 높은 성능을 제공하고, 전성비는 최대 3배 향상되며 열 저항은 절반 이상 감소한다고 밝혔다.

인터레이어에 맞춤형 IP(Intellectual Property)를 추가해 메모리 용량 확장 및 가속기 성능 강화 등 고객 맞춤 설계도 가능한 것으로 전해진다.

zNAND-O는 기존 V-NAND 수직 적층 기술에 TSV(Through Silicon Via)를 결합해 4단 또는 8단 칩을 3D 패키징한 고성능 NAND 솔루션이다.

온디바이스 AI 환경에 최적화된 제품으로, 높은 공간 효율성과 빠른 응답 속도를 바탕으로 실시간 대규모 데이터 처리를 지원한다고 삼성전자는 설명했다.

삼성전자는 이번 행사에서 400단 이상의 수직 적층 구조를 갖춘 10세대 V-NAND ‘V10 BV-NAND’도 공개했다.

웨이퍼 본딩 기술과 3 Stack 기술을 적용해 메모리 집적도를 전 세대(V9) 대비 약 58% 높였으며, 데이터 읽기·쓰기 성능과 I/O 속도도 개선됐다고 밝혔다.

차세대 메모리·스토리지 포트폴리오도 함께 선보였다.

△HBM4E △HBM5 목업 △LPDDR5X-PIM △PM1763 △BM1773 등을 전시했다.

특히 LPDDR5X-PIM은 메모리 내부에서 연산을 수행해 데이터 이동을 줄이고 전력효율을 높인 제품이라고 삼성전자는 소개했다.

삼성전자는 메모리·로직·파운드리·패키징을 아우르는 종합반도체(IDM) 체계를 바탕으로 고객 설계 단계부터 양산까지 통합 지원하는 ‘원스톱 솔루션’ 역량도 강조했다.