TI, 업계 최저 저항의 NexFET™ N채널 전력 MOSFET 출시

기사입력2015.02.02 19:29

TI 코리아 (대표이사 켄트 전, Kent Chon, www.ti.com/ww/kr) 2015년 1월 21일 – TI (대표이사 켄트 전)는 자사의 NexFET™ 제품군에 11개의 새로운 N채널 전력 MOSFET 제품을 추가한다고 밝혔다. 이들 신제품 중에서 25V CSD16570Q5B와 30V CSD17570Q5B는 핫스왑(Hot-swap) 및 오링(ORing) 애플리케이션에 적합하며 QFN 패키지로 업계에서 가장 낮은 온-저항(Rdson)을 제공한다. 이와 더불어 저전압 배터리로 구동되는 애플리케이션에 사용이 적합한 TI의 신제품 12V FemtoFET™ CSD13383F4는 극소형의 0.6mm x 1mm 패키지로 경쟁제품 대비 84%의 가장 낮은 저항 특성을 가진다.

CSD16570Q5B와 CSD17570Q5B NexFET MOSFET은 높은 전류에서 더 높은 전력 변환 효율을 달성하므로 컴퓨터 서버와 통신장비 애플리케이션에서 보다 안전한 동작이 가능하다. 예를 들어 25V CSD16570Q5B는 최대 0.59m의 저항을, 30V CSD17570Q5B는 최대 0.69m의 저항 특성을 가진다. 이와 관련 내용을 담은 블로그 기사 “핫스왑 및 오링 FET 컨트롤러로 설계 시 전력 MOSFET SOA (Safe Operating Area) 곡선”을 확인할 수 있다. 또한, TI의 CSD17570Q5B NexFET을 채택한 12V 60A 핫스왑 레퍼런스 디자인을 다운로드할 수 있다.

DC/DC 컨트롤러 애플리케이션을 위해 TI의 새로운 CSD17573Q5B 및 CSD17577Q5A를 LM27403과 함께 사용함으로써 완벽한 동기식 벅 컨버터 솔루션을 구현할 수 있다. 또한, CSD16570Q5B와 CSD17570Q5B NexFET 전력 MOSFET을 TPS24720와 같은 TI의 핫스왑 컨트롤러와 함께 사용할 수 있다. 애플리케이션 노트 “신뢰성있는 핫스왑 설계 (Robust Hot Swap Designs)”에서 직렬 소자로서 트랜지스터 선택 방법, 모든 가능한 조건하에 보다 안전한 동작을 위한 설계 방법에 대해 확인할 수 있다.

NexFET 신제품 및 주요 특징

제품명	애플리케이션	Vds/Vgs	패키지 (mm)	최대저항 (mΩ)		Qg (4.5) (nC)
제품명	애플리케이션	Vds/Vgs	패키지 (mm)	4.5V	10V	Qg (4.5) (nC)
CSD16570Q5B	ORing/Hot Swap	25/20	QFN 5x6 (Q5B)	0.82	0.59	95
CSD17570Q5B	ORing/Hot Swap	30/20	QFN 5x6 (Q5B)	0.92	0.69	93
CSD17573Q5B	Low Side Buck/ ORing/Hot Swap	30/20	QFN 5x6 (Q5B)	1.45	1.0	49
CSD17575Q3	Low Side Buck	30/20	QFN 3.3x3.3 (Q3)	3.2	2.3	23
CSD17576Q5B	Low Side Buck	30/20	QFN 5x6 (Q5B)	2.9	2.0	25
CSD17577Q5A	High Side Buck	30/20	QFN 5x6 (Q5A)	5.8	4.2	13
CSD17577Q3A			QFN 3.3x3.3 (Q3A)	6.4	4.8	13
CSD17578Q3A				9.4	7.3	7.9
CSD17579Q3A				14.2	10.2	5.3
CSD85301Q2	Dual Independent FET	20/10	QFN 2x2 (Q2)	27	N/A	4.2
CSD13383F4	Load Switch	12/10	FemtoFET 0.6x1.0 (0402)	44	N/A	2.0

공급시기, 패키징, 가격

CSD17573Q5B와 CSD17577Q5A는 TI와 TI 공인 대리점을 통해서 공급하고 있다. 권장 소비자가는 1,000개 수량 기준으로 FemtoFET CSD13383F4는 개당 0.1달러에서부터 제공되며, CSD17670Q5B와 CSD17570Q5B는 개당 1.08달러에 제공된다.

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명세환 기자

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