인텔 파운드리와 ASML이 하이 NA(High Numerical Aperture) 극자외선(EUV) 리소그래피 기술의 양산 적용 성과를 공개하고, 업계 전반의 도입 확대를 위한 협력을 강화한다고 밝혔다. 현재까지 100만 장 이상의 웨이퍼 공정에 하이 NA EUV를 적용한 데 이어, 향후 규모 확대를 위한 기술·인프라 기반도 구축 중이라고 전했다.

 

인텔 파운드리와 ASML은 8일 미국 캘리포니아 몬터레이에서 열린 SPIE 포토마스크 테크놀로지 + 극자외선 리소그래피 컨퍼런스에서 하이 NA EUV의 양산 적용 현황과 기술 진전 상황을 공개했다.

 

인텔 18A 공정에서 하이 NA로 제조된 레이어는 기존 NXE 플랫폼(NA 0.33 사양 EUV)으로 패턴을 형성한 동일 레이어와 비교해 동등하거나 그 이상의 성능을 지속적으로 나타내고 있다고 양사는 밝혔다.

 

나가 찬드라세카란 인텔 수석 부사장 겸 인텔 파운드리 공동 총괄 매니저는 “점점 더 복잡해지는 AI 제품을 개발하는 기업들에게는 양산에 즉시 적용 가능하고 사용하기 쉬운 제조 혁신이 필요하다”며, 6인치 마스크 기반 단기 지원과 6×12인치 마스크로의 전환을 위해 ASML 및 업계와 협력을 이어가겠다고 밝혔다.

 

인텔 파운드리는 3년 이상 대형 마스크 포맷 이니셔티브를 주도해 왔다.

 

크리스토프 푸케 ASML 사장 겸 CEO는 “인텔 파운드리는 2024년 최초의 상용 EXE 시스템 도입부터 하이 NA로 제조된 첫 양산형 로직 제품 출하에 이르기까지 산업 전반의 하이 NA 도입을 이끈 핵심 주체 중 하나”라고 밝혔다.

 

한편, 이번 컨퍼런스에서 ASML의 얀 반 슈트는 8일 오전 11시(태평양 표준시)에 ‘하프 필드 스티칭을 지원하기 위한 스캐너 및 마스크 요구사항’을 발표하며, 인텔 파운드리의 킴벌리 피어스는 같은 세션 11시 20분에 ‘하이 NA: 양산을 위한 스티칭’을 발표할 예정이다.