차세대 전력반도체 핵심 기술 – SiC와 GaN이 이끄는 전력 혁신

 

차세대 전력반도체 기술의 현주소와 미래

 

SiC와 GaN이 이끄는 전력 효율 혁신

전력 반도체는 이제 모든 산업의 핵심으로 자리 잡았습니다.

전기차, 신재생에너지, 산업 자동화 등 고효율·고신뢰성 전원이 필요한 곳에는 반드시 첨단 전력소자가 존재합니다.

이번 웨비나에서는 실리콘카바이드(SiC)와 갈륨나이트라이드(GaN), 두 가지 와이드밴드갭(WBG) 반도체 기술의 국내외 개발 동향과 실제 산업 적용 사례를 한 자리에서 살펴봅니다.

 

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💡 웨비나 주요 내용
 

(1) 실리콘카바이드(SiC) 전력반도체의 기술·시장 동향

 

✔️ 국내 SiC 전력반도체 기술 개발 현황 및 주요 기업 동향

✔️ 하이파워 디바이스 중심의 응용 분야(전기차, 철도, 발전 시스템 등)

✔️ 플래너·트렌치 구조 비교와 소재·공정 기술 한계

✔️ SiC 집적회로(IC) 개발의 최신 연구 방향과 상용화 과제

 

 

(2) TI가 제시하는 GaN 전력반도체의 실전 활용

 

✔️ TI GaN 통합 모듈 구조: FET + 게이트 드라이버 + 보호 회로 일체형

✔️ 고주파 스위칭(1MHz급) 기반의 전력 밀도 향상 전략

✔️ 650V·200V급 GaN 제품군 및 온보드차저·DCDC 레퍼런스 설계

✔️ 바이어스 전원 설계 시 커먼모드 노이즈 저감을 위한 토폴로지 비교

✔️ GaN vs SiC: 시스템 효율·비용·크기 관점의 실제 비교 분석

 

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👀 이런 분들께 추천합니다
 

✔️ 전기차·충전기·전력변환기 설계를 담당하는 파워엔지니어

✔️ WBG(와이드밴드갭) 반도체 기술 트렌드를 파악하고 싶은 개발자

✔️ SiC·GaN 기반 전력 소자 및 모듈을 실제 제품에 적용하고자 하는 연구자

✔️ 전력 효율·열 관리·고주파 설계 최적화를 고민하는 하드웨어 설계자

 

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SiC의 내구성과 GaN의 속도,

두 기술이 만나는 지점에서 전력반도체의 미래가 열립니다.

이번 웨비나를 통해 소재에서 시스템까지,

차세대 전력 설계의 실질적 인사이트를 확인해보세요.