AI 시대 핵심 부품인 고성능 메모리 개발 경쟁이 본격화되는 가운데, 어플라이드 머티어리얼즈와 SK하이닉스가 차세대 AI 메모리 공동 개발을 위해 손을 맞잡았다.

어플라이드는 SK하이닉스와 차세대 D램 및 HBM 기술을 공동으로 연구·개발하는 장기 파트너십을 맺었다고 11일 밝혔다.

두 기업은 실리콘밸리에 구축 중인 어플라이드의 EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization) 센터를 중심으로 협력을 강화하며, AI 인프라 확산에 대응할 혁신 로드맵을 함께 추진한다.

최근 AI 시스템의 연산량이 폭증하면서 메모리 속도와 전력 효율은 반도체 산업의 핵심 과제로 떠올랐다.

SK하이닉스 곽노정 대표는 “AI 성능 향상의 가장 큰 장애물은 프로세서와 메모리 간 속도 격차”라며 “이를 해결하기 위해 더 빠르고 효율적인 메모리 기술이 필수”라고 강조했다.

이번 협력은 이러한 산업적 요구에 대응하기 위한 전략적 선택으로, 양사는 신소재 탐색부터 공정 통합, 3D 패키징까지 메모리 전 영역에서 혁신을 추진한다.

어플라이드 머티어리얼즈는 올해 가동 예정인 EPIC 센터를 통해 반도체 장비·공정 R&D 방식을 대폭 혁신하고 있다.

50억 달러 규모로 조성되는 이 센터는 미국 내 최대 수준의 반도체 장비 연구 투자로 평가된다.

SK하이닉스 엔지니어들은 EPIC 센터에 상주하며 어플라이드 기술진과 직접 협업하게 된다. 이를 통해 신기술 검증 속도를 높이고, 양산 적용까지의 기간을 단축하는 것이 목표다.

어플라이드의 게리 디커슨 CEO는 “양사는 오랜 기간 재료공학 기반의 메모리 혁신을 함께 이뤄왔다”며 “EPIC 센터에서의 협력은 차세대 D램과 HBM 상용화를 앞당기는 중요한 전환점이 될 것”이라고 말했다.

초기 공동 연구는 △신소재 개발 △공정 통합 기술 △HBM급 첨단 패키징에 집중된다.

SK하이닉스 차선용 CTO는 “AI 메모리 시대에는 기존 웨이퍼 팹 장비 개발 방식만으로는 한계가 있다”며 “신소재·열 관리·패키징 등 전 영역에서 새로운 접근이 필요하다”고 설명했다.

또한 SK하이닉스는 싱가포르에 위치한 어플라이드의 첨단 패키징 연구 인프라도 활용해, 디바이스 설계와 패키징 기술을 연계한 통합 혁신을 추진할 계획이다.