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Wolfspeed SiC를 이용한 미래형 EV, 그린에너지, 전력시스템 설계 및 구현
D-1660 2022.01.18 10:30~12:00
Wolfspeed / 이태훈 부장, 함정호 부장
류승완2022-01-18T11:05:14.820Z
현재 5kW Boost에도 Negative 전압을 사용하고 있는데요, Boost에서 Negative gate 전압 사용 유/무에 따라 장/단점이 있을까요?2022-01-20T15:00:11.357Z
웨비나에서 언급해 드린대로, boost와 같은 single end power converter의 경우 negative전압을 사용하지 않으셔도 무방합니다. 감사합니다.유재열2022-01-18T11:04:06.103Z
PCB 설계시 주의 점이 있나요2022-01-18T11:06:46.983Z
개별 연락 드리겠습니다. 감사합니다.정영균2022-01-18T11:04:05.583Z
하프브리지에서 어떤 경우에 원치않는 turn-on이 발생하는지요? thresho.ld전압변경으로 해결이 안되는지요?2022-01-18T11:08:02.300Z
안녕하세요 슬라이드 31페이지를 참고하여 주시기 바랍니다. 감사합니다.한승민2022-01-18T11:04:01.827Z
발표자료 다 영어네요. 제품에대한 한글로 된 설명 메뉴얼은 없는건가요?이민수2022-01-18T11:03:48.283Z
질문] Wolfspeed SiC를 적용하여 사용하려는 경우 중요하게 고려하고 테스트해야 할 요소들에 대해서 문의드립니다2022-01-26T11:57:57.513Z
주로 효율과 신뢰성에 관한 테스트가 요구됩니다. Half bridge구조라면 SC에 대한 보호대책 및 테스트가 필요하며, propagation delay, EMI, temperature, negative voltage에 의한 gate off level 확인 등이 필요합니다. 감사합니다.김형준2022-01-18T11:03:42.380Z
SiC / Si 관련 자료 공유 부탁드립니다. 1. Market trend data 2. Key parameters comparison 상세자료 3. 경쟁사 비교 분석 자료김태진2022-01-18T11:03:24.383Z
"SiC 전용 게이트 드라이버"를 언급해 주셨는데요, 기존 "Si 게이트 드라이버"와의 다른점을 설명 부탁드립니다.2022-01-18T11:59:39.753Z
가장 큰 차이점은 SC, desat등 fault 조건을 detect하는 시간입니다. Si용은 그 시간이 수 us로 긴편이나, SiC의 경우 1us이내로 cut off할 수 있어야 하며, 이를 지원합니다. 감사합니다.이원재2022-01-18T11:02:52.957Z
음전압을 SiC에 반드시 사용을 해야만 하는지요? 저희의 경우의 음전압을 사용하지 않고 쓰고 있는중입니다만.2022-01-18T11:57:25.973Z
토폴로지에 따라 음전원을 사용하지 않으실수 있습니다. 하프브릿지, 토템폴 구조 사용하실때는 반드시 음전압을 사용하셔야 합니다. 감사합니다.지정호2022-01-18T11:02:13.960Z
[질문]전기 자동차의 고속 충전 등 빠른 충전 속도와 높은 효율을 유지하기 위한 wolfspeed 전력 모듈의 지원 제품 및 특징은 어떻게 되는지요?2022-01-26T11:42:30.407Z
빠른 충전속도는 높은 전압으로 충전시 가능한데, 충전소에서 높은 전력(350KW)으로 충전전력을 공급하려면 이에 맞는 device가 요구됩니다. 당사의 1200V MOSFET 및 1700V diode가 적용되고 있으며, 높은효율은 손실을 절감하여 얻어지는것이므로, SiC의 Rdson 특성, 낮은 Qrr특성등이 손실 절감을 유도하여 효율을 보상합니다. 감사합니다.양재영2022-01-18T11:01:52.360Z
SiC가 더 큰 전력 밀도와 더 효율적인 방식으로 양방향 전력 흐름을 관리할 수 있기 때문에, 차량과 전력망 간 연결에 유리한데 다른 유사 경쟁기술은 어떤게 있고 장단점은 어떻게 되는지요?2022-02-04T11:36:05.480Z
WBG 디바이스중 GaN이 SiC와 비교할만한 대표적인 물질입니다. GaN은 saturated eletron drift velocity가 SiC보다 우수하여 더 빠른 주파수 대역에서 스위칭이 가능하나, thermal conductivity가 낮아, 고전력 애플리케이션에는 적합하지 않습니다. 온도에 따른 Rdson변화도 상대적으로 큽니다. 감사합니다.