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MOSFET의 선정 및 사용 방법
2024.02.01 10:30~12:00
ROHM / 태현호 연구원
공정철2024-02-01T10:44:32.663Z
SOA에서 영역5는 주파수와 관계없는거죠?2024-02-01T10:56:51.157Z
네, 영역 5는 전압 절대 최대 정격이라 주파수와는 관계가 없습니다.박조동2024-02-01T10:43:53.580Z
SOA 영역에서 Vds 0.1~10V 사이에 녹색선(2) 와 붉은선(1)은 어떤의미 인가요? 실제 흘릴 수 있는 전류는 붉은 선인가요?2024-02-01T10:55:25.817Z
붉은선(1)은 DC 전류인 ID가 기준이 되며, 녹색선(2)은 Pulse 전류인 IDP가 기준이 됩니다. 간단히 설명하면 지속적으로 흘리는 전류는 붉은색 기준으로, 순간적으로 발생하는 서지로는 녹색선 기준으로 안전 동작 영역이 정의 됩니다.윤기호2024-02-01T10:43:47.660Z
ROHM MOSFET는 스위칭 속도 및 소비전력 측면에서 타사 MOSFET 대비 각각 어느 정도 우세한지 알고싶습니다.2024-02-01T10:52:38.580Z
해당 사항에 경우 메이커 별 큰 차이가 나는 항목이 아니기 때문에 우열을 가리기는 어렵습니다. 다만, 사용하고 계시는 기존 MOSFET 정보를 제공 주신다면 대체 제안 가능한 제품과의 사양 비교표를 작성드리는 방향으로는 대응 가능합니다.김현민2024-02-01T10:43:35.723Z
[질문] 바이폴라 트랜지스터에서 ON 저항에 해당되는 부분은 어떤 팩터인가요?2024-02-01T10:49:36.093Z
BJT는 turn on 되었을 때 저항이 아닌 다이오드와 equivalent 하기 때문에, on 저항이 아닌 전압 강하로 전력 손실이 책정됩니다.장동제2024-02-01T10:43:13.247Z
SiC 와 FET는 정격을 Rdson으로 정의 하는데 IGBT와 TR은 정격전류로 정의 하는 것 같은데 , 저의 경우 정격 전류가 좀 친숙 한 편입니다. FET에서 정격을 Rdson으로 정의 하는 특별한 이유가 있나요?2024-02-01T10:54:57.067Z
일반적으로 BJT의 경우 VCE * I 로 손실을 계산하고 전류가 포화될 경우 저항이 증가하게 됩니다. FET의 경우 전류와 저항으로 계산하게 되어 Rdson이 주로 쓰입니다.최정은2024-02-01T10:42:47.067Z
[질문] MOSFET에서 대전력을 취급하는 경우에 중요한 특성은 어떤게 있나요?2024-02-01T10:48:29.597Z
고전력 환경에서는 VDSS 및 ID의 내압을 주로 고려해 주십시오.김현민2024-02-01T10:40:22.760Z
[질문] TR 선택 시 VCEO 보다 우서되어야 하는 스펙이 있을까요?2024-02-01T10:41:54.213Z
트랜지스터 선택에 가장 우선시 되어야 하는 사양은 말씀하신 것과 같이 VCEO가 됩니다.공정철2024-02-01T10:39:34.727Z
고속스위칭 제품은 Qg가 작은게 좋다고 하는데..Qg가 작을때 단점이 있나요?2024-02-01T10:40:29.950Z
사양적인 디메리트는 없습니다만, Qg값이 높은 제품에 비해 높은 가격대를 형성하는게 단점이 되겠습니다.백귀인2024-02-01T10:38:59.503Z
N-ch FET 사용 시 외부 노이즈로 인해 오동작하는 경우가 있습니다. Vgs 쪽으로 영향을 받는것 같은데, 이런 문제에 대한 대책이 있는지 문의드립니다.2024-02-01T10:47:40.253Z
말씀 주신 정보만으로는 노이즈 유입원을 특정드리기 어렵습니다. 상세 내용을 폐사 영업 창구를 통해 문의주신다면 사용 회로 환경에 맞는 기술 지원을 드릴 수 있도록 하겠습니다.지정호2024-02-01T10:38:49.027Z
[질문]고속 스위칭 설계 시, 주요 고려 사항과 손실 및 노이즈를 줄이는 방안은 무엇인지요?2024-02-01T10:45:25.307Z
회로 환경에 따라 다르겠습니다. 폐사 영업 창구를 통해 문의 주신다면 보다 자세한 대응 드릴 수 있도록 하겠습니다.