SK하이닉스가 초고성능 AI용 메모리 ‘HBM4’의 개발 및 양산에 나서며 AI 시대 기술 한계를 돌파했다.

SK하이닉스는 ‘HBM4’ 개발을 세계 최초로 완료하고 양산 체제를 공식 구축했다고 12일 밝혔다.

이는 글로벌 반도체 시장에서 기술 리더십을 다시 한번 입증하는 상징적인 성과로 평가된다.

HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램 대비 획기적인 데이터 처리 속도를 구현하는 고성능 메모리다.

SK하이닉스는 이번 HBM4 개발을 통해 6세대 HBM 제품 시대를 열었으며, AI 인프라의 한계를 뛰어넘는 기술적 전환점을 마련했다.

HBM4는 2,048개의 데이터 전송 통로(I/O)를 적용해 대역폭을 기존 대비 2배로 확대했으며, 전력 효율은 40% 이상 향상됐다.

특히, 고객 시스템에 도입 시 AI 서비스 성능을 최대 69%까지 끌어올릴 수 있어 데이터 병목 현상을 해소하고 데이터센터의 전력 비용 절감에도 기여할 것으로 기대된다.

또한 HBM4는 국제반도체표준협의기구(JEDEC) 기준인 8Gbps를 뛰어넘는 10Gbps 이상의 동작 속도를 구현해 세계 최고 수준의 성능을 실현했다.

SK하이닉스는 이번 양산에 자사 고유의 어드밴스드 MR-MUF 공정과 10나노급 5세대(1bnm) D램 기술을 적용해 생산 안정성을 극대화했다.

MR-MUF 공정은 칩 간 회로 보호와 열 방출에 효과적이며, 휨 현상 제어(Warpage Control)를 통해 양산 리스크를 최소화하는 핵심 기술로 평가받는다.

SK하이닉스 김주선 AI Infra 사장은 “HBM4는 AI 시대 기술 난제를 해결할 핵심 제품”이라며 “최고 품질의 다양한 성능 메모리를 적시에 공급해 풀 스택 AI 메모리 프로바이더로 성장하겠다”고 밝혔다.