인피니언 테크놀로지스가 자사의 실리콘 카바이드(SiC) 전력 반도체를 토요타의 신규 전기차 모델 ‘bZ4X’에 공급하며 전동화 시장 공략을 강화한다.

인피니언은 CoolSiC™ MOSFET이 bZ4X의 온보드 차저(OBC)와 DC/DC 컨버터에 채택됐다고 10일 밝혔다.

실리콘 카바이드 전력 반도체는 기존 실리콘 대비 낮은 전력 손실과 높은 열저항, 우수한 고전압 특성을 갖춰 전기차 효율을 크게 향상시키는 핵심 기술로 평가된다.

이번 적용을 통해 bZ4X는 주행거리 증가와 충전 시간 단축이라는 두 가지 과제를 동시에 해결할 수 있을 것으로 기대된다.

인피니언의 CoolSiC MOSFET은 독자적인 트렌치 게이트 구조를 기반으로 온 저항과 칩 크기를 줄여 전도 손실과 스위칭 손실을 동시에 최소화한다.

이를 통해 전력 변환 효율을 높이고, 전기차 전력 시스템의 소형화와 경량화를 가능하게 한다.

또한 기생 커패시턴스와 게이트 임계 전압을 최적화해 유니폴라 게이트 구동을 구현함으로써 구동 회로 설계를 단순화하고 시스템 신뢰성을 높였다.

피터 셰퍼 인피니언 오토모티브 영업 총괄 수석 부사장은 “세계적인 자동차 제조사인 토요타가 인피니언의 CoolSiC 기술을 선택한 것은 전동화 분야에서 당사의 기술력과 품질 경쟁력을 입증하는 사례”라며 “실리콘 카바이드는 전기차의 효율과 성능을 한 단계 끌어올리는 핵심 요소로, 미래 모빌리티 구현에 중요한 역할을 할 것”이라고 강조했다.

인피니언은 무결점 품질과 지속적인 기술 혁신을 바탕으로 전기차, 충전 인프라, 에너지 관리 시스템 등 전력 반도체 수요가 급증하는 시장에서 입지를 확대하고 있다. 업계에서는 이번 bZ4X 적용을 계기로 SiC 전력 반도체의 채택이 더욱 가속화될 것으로 전망하고 있다.