핀당 최대 16Gbps 데이터 처리 속도 구현, 에너지 효율 20% 이상 높여

SK하이닉스가 차세대 AI용 고성능 D램 ‘HBM4E’의 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다. 이전 세대인 HBM4보다 성능과 전력 효율을 함께 끌어올려 AI 학습과 추론에 필요한 데이터 처리 능력을 높인 제품이다.

SK하이닉스는 HBM4E 12단 샘플을 주요 고객사들에 공급했다고 18일 밝혔다.

SK하이닉스는 “그동안 축적해온 HBM 선행 개발 역량과 생산 노하우를 바탕으로 HBM4E 12단 샘플을 고객들에게 선보였다”며 “핵심 고객사들과 긴밀히 협업해 적기 양산에 만전을 기하겠다”고 설명했다.

HBM4E는 핀당 최대 16Gbps의 데이터 처리 속도를 구현하고 에너지 효율을 20% 이상 높였다고 회사는 전했다. 또한 최신 인터페이스와 설계 최적화를 적용해 데이터 전송 지연을 줄이고, 고대역폭 환경에서도 안정적으로 동작하도록 했다.

이를 통해 차세대 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율을 높일 수 있을 것으로 회사는 기대하고 있다.

SK하이닉스는 HBM4E에 어드밴스드(Advanced) MR-MUF 공정을 적용해 12단 적층 기준 48GB 용량을 구현하는 동시에 구조 안정성을 높였다.

특히 열 저항을 HBM4 대비 약 17% 낮춰 고성능 컴퓨팅 환경에서도 메모리가 안정적으로 동작하도록 했다.

MR-MUF는 칩을 쌓아 올린 뒤 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 주입하고 굳히는 공정이다.

SK하이닉스는 HBM3, HBM3E, HBM4로 이어지는 양산·공급 경험을 바탕으로 고객 요구에 맞춘 메모리 설루션을 제공해왔으며, HBM4E에서도 AI 시스템의 병목 해소와 차세대 인프라 구현을 지원할 계획이라고 밝혔다.

안현 개발총괄 사장(CDO)은 “그동안 쌓아온 기술 경쟁력과 양산 역량을 HBM4E에서도 이어가 AI 혁신을 지속적으로 지원할 기반을 마련했다”며 “파트너와 협력을 바탕으로 시장이 요구하는 가치를 구현해 풀 스택 AI 메모리 기업으로서의 기술 리더십을 다지겠다”고 말했다.