EVG Supports Resolution of CPO Manufacturing Challenges for AI Data Centers

This page was machine-translated and may differ from the original. View original

EVG Supports Resolution of CPO Manufacturing Challenges for AI Data Centers

Published2026.09.02 11:27

웨이퍼 본딩·NIL 기술로 공정 개발부터 대량생산까지 원스톱 지원

AI 인프라 확장과 함께 고대역폭·저전력 광 인터커넥트 기술인 코패키지드 옵틱스(Co-Packaged Optics, CPO)의 수요가 높아지는 가운데, EV Group(이하 EVG)이 웨이퍼 본딩과 나노임프린트 리소그래피(NIL) 기반 공정 포트폴리오를 앞세워 CPO 제조 전 단계를 지원한다.

EVG는 2일 하이퍼스케일 데이터센터·AI 인프라·고성능 컴퓨팅(HPC) 시장을 겨냥해 CPO 생태계 전반의 고객·파트너와 협력하고 있다고 밝혔다.

공정 개발부터 대량생산(HVM)까지 제조 밸류체인 전 단계를 포괄한다는 방침이다.

AI 워크로드 급증으로 기존 구리 인터커넥트의 대역폭·지연시간·전력 효율 한계가 부각되면서, 반도체 업계의 CPO 도입이 빠르게 확산되고 있다.

CPO는 광자 집적회로(PIC)·레이저·광학 구조를 동일 패키지에 통합해 광 I/O를 컴퓨팅 소자에 근접 배치하는 방식이다.

구성 소재마다 물리적·제조 특성이 달라 집적 밀도가 높아질수록 새로운 공정 기술이 요구된다.

EVG는 NILPhotonics® 역량 센터와 이종 집적화 역량 센터(Heterogeneous Integration Competence Center™, HICC)를 통해 고객이 양산에 준하는 환경에서 설계와 공정을 개발·검증한 뒤 대량생산으로 전환할 수 있도록 지원한다고 전했다.

EVG 사업개발 디렉터 베른트 딜라허(Bernd Dielacher) 박사는 “포토닉 및 전자 부품을 첨단 패키징으로 통합하려면 개별 솔루션만으로는 충분하지 않으며, 포괄적인 공정 전문성이 필요하다”고 말했다.

EVG가 CPO 제조에 적용하는 주요 기술은 다음과 같다.

△하이브리드 본딩: PIC와 전자 집적회로(EIC) 간 기생 효과를 최소화하며 고밀도 집적 구현 △퓨전 본딩: 박막 리튬 나이오베이트(TFLN)·티탄산바륨(BTO) 등 차세대 광 변조 소재 이종 집적 지원 △상온 본딩: 광 손실이 적은 인터페이스 형성 및 다이아몬드·SiC 히트 스프레더 집적을 통한 열 관리 △NIL: 격자 결합기·빔 성형 소자 등 면외 광 결합 소자의 확장 가능한 제조 △임시 본딩·디본딩: 레이저 다이오드 제조 및 첨단 패키징용 웨이퍼 박형화 공정 지원.

EVG는 향후 업계가 CPO에서 광 I/O 칩렛 아키텍처와 3D 포토닉-전자 집적으로 전환할 것으로 보고, 현행 CPO는 물론 차세대 광 I/O 아키텍처까지 지원 범위를 확대할 계획이라고 밝혔다.

#EVG #AI 데이터센터 #광 인터커넥트 #CPO #코패키지드 옵틱스 #웨이퍼 본딩 #NIL #이종 집적화

To request a correction, reply or follow-up report on this article, see how to file a request. Previously published statements are collected in corrections & replies.