마우저, 온세미 가넥서스 GaN FET 공급 개시

기사입력2026.09.11 07:53

40V~650V 전압 범위 지원, AI·데이터센터·로보틱스 전력 변환 대응

마우저 일렉트로닉스(Mouser Electronics)가 온세미(onsemi)의 가넥서스(GaNEXUS) GaN FET(gallium nitride field-effect transistor)를 공급한다. 해당 제품은 고속 스위칭과 높은 전력 밀도를 요구하는 AI 서버, 데이터센터, 산업 자동화, 로보틱스, 에너지 인프라 등 광범위한 애플리케이션을 겨냥한다.

마우저 일렉트로닉스는 11일, 온세미의 가넥서스 GaN FET 공급을 시작한다고 밝혔다.

가넥서스는 GaN의 와이드 밴드갭(wide bandgap) 특성을 활용해 고속 스위칭, 낮은 게이트 및 출력 전하, 향상된 효율을 구현한다.

인핸스먼트 모드(enhancement-mode) 방식의 디스크리트 GaN HEMT(high-electron-mobility transistor)로 구성되며, 40V~650V의 전압 범위를 지원한다.

보호 기능을 통합한 650V 가넥서스 스마트 GaN FET도 제품군에 포함돼 시스템 통합을 간소화할 수 있다고 전해진다.

가넥서스는 AI 서버, 48V 중간 버스 컨버터(IBC), 배터리 백업 유닛(BBU), 모터 드라이브 등 저전압 및 중전압 시스템에 적용 가능하다.

자기 부품 크기를 줄이는 동시에 전력 밀도와 열 성능, 제어 안정성을 높이고 스위칭 손실을 줄이는 데 기여한다고 온세미 측은 설명했다.

AI 파워 셸프(power shelf), 고전압 DC-DC 변환, PFC(역률 보정), LLC 전력단 등 고전압 애플리케이션에서는 고주파 AC-DC 및 공진 전력단의 자기 부품 크기를 최대 60%까지 줄일 수 있다고 밝혔다.

PFC·LLC·고전압(HV) DC-DC 아키텍처의 전력 밀도를 높이는 한편, 열 관리 및 운영 비용 절감 효과도 기대된다고 전했다.

또한 설계 복잡성 완화와 개발·인증 기간 단축에도 활용 가능한 것으로 전해진다.