ST, MasterGaN7 출시로 GaN 전력 제품군 확장

기사입력2026.10.28 11:19

650V·6A GaN 트랜지스터 하프 브리지 통합, 최대 2MHz 스위칭 지원

ST마이크로일렉트로닉스(STMicroelectronics)가 MasterGaN 통합 전력 제품군에 신규 디바이스를 추가했다. 이번에 출시된 MasterGaN7은 650V 인핸스먼트 모드(Enhancement-mode) GaN 트랜지스터와 고전압·고주파 게이트 드라이버를 하나의 패키지에 통합한 제품으로, 전원 어댑터·충전기·산업용 조명·태양광 마이크로인버터 등 다양한 전력 변환 애플리케이션을 겨냥한다.

ST마이크로일렉트로닉스는 28일 최대 정격 전류 6A의 650V GaN 트랜지스터 2개를 하프 브리지 구성으로 연결하고 게이트 드라이버를 통합한 MasterGaN7을 공식 출시했다고 밝혔다.

9mm×9mm QFN 패키지로 제공되며, 기존 MasterGaN 디바이스와 핀 배열 및 풋프린트를 공유해 설계 호환성을 확보했다.

MasterGaN7은 최신 세대 GaN 기술을 적용해 스위칭 속도와 효율을 높였다.

게이트 구동 전압 안정화를 위한 LDO(Low Drop-Out) 레귤레이터를 내장했으며, 핀 제어 셧다운 모드와 초고속 웨이크업 기능을 결합해 무부하 시 전력 소모를 줄일 수 있다고 ST는 설명했다.

전파 지연 시간은 45ns이며 최대 2MHz의 스위칭 주파수로 동작한다.

하이사이드 드라이버용 부트스트랩 다이오드도 통합돼 있어 외부 부품 수를 줄일 수 있다.

MasterGaN 전 제품군은 △액티브 클램프 플라이백(Active Clamp Flyback) △비대칭 하프 브리지(Asymmetrical Half Bridge) 컨버터 △인버스 벅(Inverse Buck) 컨버터 △공진형 LLC 컨버터 △역률 보정(Power Factor Correction, PFC) 컨버터 △DC-AC 인버터 등 다양한 회로 토폴로지를 지원한다.

교차 도통 방지 인터로킹(Interlocking), 저전압 차단(Undervoltage Lock-Out, UVLO), 과열 차단 등 보호 기능도 탑재됐다.

MasterGaN7의 동작 온도 범위는 -40°C~125°C다.

현재 양산 중이며 1,000개 기준 개당 $3.83부터 구매 가능하다.

ST는 설계 초기 단계에서 활용할 수 있는 EVLMG7 평가 보드도 함께 제공하며, ST eStore를 통해 구매할 수 있다.

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