삼성전자와 브로드컴(Broadcom)이 AI 가속기 시장 확대에 따라 커스텀 반도체 수요가 급증하는 가운데, 2030년까지 총 2,000억 달러 이상 규모의 협력을 추진한다.

삼성전자는 현지시간 24일 미국 샌프란시스코 더 미드웨이(The Midway)에서 개최된 ‘AI 서밋’ 행사에서 브로드컴과 MOU를 체결했다고 밝혔다.

행사에는 한진만 삼성전자 Foundry사업부장 사장과 혹 탄(Hock Tan) 브로드컴 CEO를 포함한 양사 경영진 및 정부 관계자가 참석했다.

메모리 분야에서는 삼성전자가 브로드컴의 차세대 AI 가속기(ASIC)에 HBM을 비롯한 첨단 메모리 솔루션을 공급한다.

삼성전자는 1c D램과 4nm 베이스다이 기술을 적용한 HBM4를 올해 2월 양산 출하했으며, 5월에는 HBM4E 샘플을 고객사에 먼저 제공했다고 설명했다.

HBM4·HBM4E는 브로드컴 AI 가속기의 성능 향상을 뒷받침하는 핵심 부품으로 활용될 전망이다.

파운드리 분야에서는 브로드컴의 고속 데이터 통신용 반도체 등 주요 제품군에 2nm 이하 공정을 적용해 양산을 지원한다.

여기에 2nm 공정 기반 첨단 패키징 기술을 접목해 전력 효율과 성능을 함께 높인다는 계획이다.

삼성전자는 설계 최적화 단계부터 칩 제조·패키징·양산에 이르는 전 공정을 일괄 제공함으로써 제품 개발 기간 단축에 기여할 수 있다고 밝혔다.

전영현 삼성전자 DS부문장은 “AI 시대에는 메모리, 로직, 첨단 패키징이 긴밀하게 통합된 반도체 솔루션이 중요하다”며 “브로드컴과의 협력을 확대해 미래 AI 인프라 발전을 가속화하고 고객에게 더 큰 가치를 제공하겠다”고 말했다.

찰리 카와스 브로드컴 반도체 솔루션 그룹 사장은 “AI 인프라가 빠르게 확장되면서 반도체 생태계 전반의 긴밀한 협력이 중요해지고 있다”며 “삼성전자와 함께 시장 요구에 최적화된 차세대 솔루션을 만들어 가겠다”고 밝혔다.