삼성전자, ASML과 High NA EUV·12인치 마스크 협력 확대

기사입력2026.09.08 15:47

2028년 D램 제조에 High NA EUV 첫 적용 목표

삼성전자가 ASML과의 협력 범위를 넓히며 차세대 노광 기술 확보에 나선다. 12인치 포토 마스크 공동 개발과 2028년 D램 양산 공정에의 High NA EUV 도입이 양대 축이다.

삼성전자는 8일 ASML이 주도하는 ‘대형 마스크 컨소시엄(Large Size Mask Consortium)’에 참여하고, 2028년까지 첨단 D램 제조에 High NA EUV 노광 설비를 적용하기 위한 협력을 강화한다고 밝혔다.

포토 마스크는 노광 공정에서 웨이퍼에 회로 패턴을 전사하는 핵심 도구다.

현재 업계는 6인치 마스크를 표준으로 사용하고 있으나, 이를 12인치로 전환하면 패턴을 분할 노광한 뒤 이어붙이는 스티칭(stitching) 제약이 해소돼 팹 생산성 향상과 칩 제조 비용 절감이 가능하다고 회사 측은 설명했다.

수백억 개의 트랜지스터를 집적하는 첨단 반도체일수록 12인치 마스크를 통해 High NA EUV 설비의 성능을 온전히 활용할 수 있다는 것이다.

삼성전자는 컨소시엄 내에서 공동 연구 및 표준 개발 활동에 참여할 계획이다.

삼성전자와 ASML은 2028년을 목표로 D램 양산 공정에 High NA EUV를 도입하는 일정을 공동 추진한다.

High NA EUV는 기존 EUV 대비 개구수(NA)를 높여 더 정밀한 패터닝이 가능한 차세대 노광 기술이다.

양사는 이 기술의 메모리 공정 적용을 통해 D램 미세화 로드맵 연장과 공정 단순화를 동시에 달성할 수 있을 것으로 보고 있다.

파운드리 공정에 이어 메모리 분야로도 High NA EUV 적용 범위가 확대되는 것이다.

전영현 삼성전자 대표이사 부회장은 “AI 시대의 도래는 반도체 산업 패러다임을 바꾸고 있으며 밸류체인 전반에서 기술 혁신의 중요성을 더욱 높이고 있다”며 “파운드리와 메모리를 포함한 첨단 반도체 제조 리더십을 이어가고 ASML과의 협력을 한층 강화함으로써 ‘Next AI’를 위한 기술 기반을 마련해 나갈 것”이라고 말했다.

크리스토프 푸케 ASML CEO는 “AI가 이끄는 새로운 시대를 맞이해 삼성전자와 함께 차세대 반도체 제조를 위한 혁신을 이끌어 가기를 기대한다”고 밝혔다.

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