어플라이드·베시, AI 패키징 파트너십 확대

기사입력2026.10.02 09:14

베시 EPIC 센터 혁신 파트너 합류, 하이브리드 본딩·TCB·포토닉스 인터커넥트로 공동 개발 범위 확장

AI 인프라 고도화에 따라 고집적 반도체 패키징 수요가 커지는 가운데, 어플라이드 머티어리얼즈와 베시(Besi, BE 세미컨덕터 인더스트리스)가 첨단 패키징 전 영역으로 협력을 확장한다. 2020년 싱가포르 공동 개발 프로그램으로 시작된 양사 협력이 이번에 EPIC(Equipment and Process Innovation and Commercialization) 센터 중심의 전략적 파트너십으로 격상됐다.

어플라이드 머티어리얼즈는 베시와의 전략적 파트너십 확대 및 베시의 EPIC 센터 혁신 파트너 합류를 2일 발표했다.

이번 협력 확대는 기존 다이 투 웨이퍼(die-to-wafer) 하이브리드 본딩 중심 협력에서 벗어나, 신규 하이브리드 본딩 플랫폼·열압착 본딩(TCB) 스케일링·다이 온 웨이퍼·다이 온 다이·다이 온 패널 집적·포토닉스 기반 인터커넥트 등으로 공동 개발 범위를 넓힌 것이 특징이다.

베시 엔지니어들은 혁신 파트너 자격으로 실리콘밸리 소재 EPIC 센터에 상주하며 어플라이드 팀과 함께 공정·조립 솔루션을 공동 최적화할 예정이다.

EPIC 센터는 약 50억 달러 규모 투자로 조성된 미국 내 최대 첨단 반도체 R&D 시설로, 연내 가동 준비를 마칠 계획이다.

자본 지출은 고객 프로젝트 개시에 따라 점진적으로 확대된다.

양사가 추진하는 주요 R&D 프로그램은 △신규 다이 투 웨이퍼 하이브리드 본딩 플랫폼 △TCB 및 관련 공정 생태계 스케일링 △다이 온 웨이퍼·다이 온 다이·다이 온 패널 집적 플랫폼 △공동패키징광학(CPO)과 AI 시스템 스케일링을 지원하는 포토닉스 기반 인터커넥트 애플리케이션이다.

양사는 2020년 싱가포르 어플라이드 첨단 패키징 개발 센터에 공동 CoE(Center of Excellence)를 설립하고 식각·평탄화·증착·웨이퍼 세정·계측 분야 어플라이드 공정 기술과 베시의 다이 배치·인터커넥트·조립 기술을 결합해 왔다.

이 협력의 산물로 업계 최초의 다이 투 웨이퍼 하이브리드 본딩 통합 시스템 ‘Kinex™’가 개발됐다.

게리 디커슨 어플라이드 머티어리얼즈 회장 겸 CEO는 “EPIC 센터에서 베시와 협력함으로써 기술 로드맵 방향성을 조기에 파악하고 패키징 전체 플로우를 공동 최적화할 수 있을 것”이라고 밝혔다.

리처드 블릭먼 베시 CEO는 “TCB 스케일링, 다이 온 패널 집적, 차세대 AI·포토닉스 시스템의 인터커넥트 기술을 발전시켜 나갈 것”이라고 말했다.