ACM 리서치가 첨단 반도체 후공정(BEOL)과 첨단 패키징 공정을 겨냥한 첫 플라즈마 강화 화학기상증착(PECVD) SiCN 시스템을 주요 반도체 제조사에 출하했다. 미세 배선과 차세대 집적 공정에서 박막 균일도와 계면 제어 요구가 높아지는 가운데, ACM은 3-스테이션 회전형 증착 구조를 앞세워 관련 장비 포트폴리오를 확대한다.

ACM은 5월 20일 주요 반도체 제조사에 자사의 첫 PECVD SiCN 시스템을 출하했다고 밝혔다. 이 장비는 ACM 플래니터리 제품군의 토성 시리즈에 새롭게 추가된 모델로, 링강 연구소에서 고객사 공정 규격을 충족한 뒤 현장 검증 절차에 들어갈 예정이다.

SiCN 박막은 첨단 배선 공정에서 구리 산화 억제, 구리 확산 방지막, 식각 정지층 등에 활용된다. 로직 반도체가 미세화되고 배선 구조가 복잡해지면서 파티클 제어, 플라즈마 안정성, 계면층 제어에 대한 요구도 높아지고 있다.

첨단 패키징에서도 SiCN 적용 범위는 확대되고 있다. 웨이퍼 레벨 본딩 등 차세대 집적 공정에서 SiCN은 접착력, 본딩 에너지, 치밀한 박막 특성을 기반으로 집적 신뢰성을 높이고 금속 이온 확산을 억제하는 역할을 한다.

ACM은 이번 장비에 하나의 반응 챔버 안에서 공정을 세 개 스테이션으로 나눠 수행하는 회전형 증착 구조를 적용했다. 각 스테이션이 전체 막 두께의 일부를 순차적으로 증착해 가스 흐름, 계면층 형성, 웨이퍼 전면의 막 균일도를 제어하도록 설계됐다.

또한 각 스테이션마다 전용 RF 시스템을 두는 ‘One Station, One RF’ 제어 기술을 적용했다. 이를 통해 스테이션별 플라즈마 조건을 독립적으로 조정하고, 공정 안정성과 스테이션 간 일관성을 높이는 데 초점을 맞췄다.

해당 시스템은 55나노미터 이하 첨단 BEOL 공정용 PECVD SiCN 공정을 지원한다. 300mm 웨이퍼 공정용으로 구성됐으며, 최대 400도의 공정 온도와 4개 로드 포트, 3개 프로세스 챔버를 갖춰 웨이퍼 이송 효율과 공정 운용 유연성을 높였다.