컨소시엄 출범 6개월 만에 규격 확정, 최대 512GB·3.0TB/s 지원 

SK하이닉스가 샌디스크와 공동으로 HBF(High Bandwidth Flash) 첫 표준 규격을 OCP(Open Compute Project)를 통해 공개했다. HBM과 SSD 사이를 잇는 새로운 메모리 계층으로서 대역폭과 용량 확장성을 동시에 확보할 수 있다는 점에서, AI 추론 확산에 따른 데이터 처리 병목을 해소할 기술로 제시됐다.

SK하이닉스는 5일 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 열리는 ‘FMS(Future of Memory and Storage) 2026’(현지시간 4~6일) 개막에 맞춰 이 같은 내용을 밝혔다.

이번 규격은 지난해 8월 샌디스크와 표준화 협력을 시작하고, 올해 2월 컨소시엄을 출범한 지 약 6개월 만에 나온 첫 결과물이다.

구글과 텐스토렌트도 컨소시엄에 합류해 생태계 확대를 뒷받침하고 있다.

이번 규격은 낸드 다이를 8단 또는 16단으로 적층하는 두 가지 구성을 기준으로 최대 512GB 용량을 정의했다.

대역폭은 Grade 1~3 세 등급으로 구분해 약 0.4TB/s에서 3.0TB/s까지 구현 가능하도록 규정했다.

프로세서와의 연결에는 업계 표준인 UCIe(Universal Chiplet Interconnect Express)를 채택해 GPU·CPU 등 이종 프로세서와의 유연한 연동 기반을 마련했다.

규격에는 이 밖에도 △연결 인터페이스 및 전기적 특성 △다이 스택(Die Stack) 공정의 신뢰성 및 패키징 가이드 △데이터 입출력용 소프트웨어 사용 지침이 포함됐다.

FMS 개막 첫날 김천성 SK하이닉스 Solution개발 부문장과 강욱성 차세대 상품기획 담당이 공동 키노트에 나서 ‘계층형 메모리(Tiered Memory)’ 기반의 차세대 AI 인프라 구현 방향을 제시할 예정이다.

6일에는 임의철 SK하이닉스 Solution AT 담당, 샤오위 마 구글 딥마인드 연구원, 라지브 나가비라바 샌디스크 부사장이 ‘HBF로 메모리 월을 넘다’를 주제로 패널 토의를 진행한다.

전시 부스에서는 SK하이닉스가 개발 중인 10세대(V10) 375단 4D 낸드의 웨이퍼와 제품이 처음으로 공개된다.

이전 세대 대비 전력 대비 성능을 2.5배 높였으며, 내년 초 이를 기반으로 한 고성능·고용량 eSSD 양산에 착수할 계획이라고 회사 측은 밝혔다.

김천성 부문장은 “HBF를 통해 메모리와 스토리지 간 경계를 확장하고, 시스템 전반의 효율을 높이는 새로운 아키텍처 구현에 기여하겠다”고 말했다.