마이크로칩, 내방사선 GaN POL 컨버터 ‘POL-05-20S-T’ 출시

기사입력2026.10.15 09:18

50krad TID·43 MeV·cm²/mg LET 특성 평가

마이크로칩테크놀로지가 우주 환경의 방사선에 대응하는 GaN 기반 포인트 오브 로드(Point-of-Load, POL) 컨버터를 출시했다. 소형 패키지에서 20A의 연속 전류를 공급하며, FPGA·ASIC 등 고성능 디지털 부하를 겨냥한 제품이다.

마이크로칩테크놀로지는 15일 내방사선 POL 컨버터 ‘POL-05-20S-T’를 출시했다.

질화갈륨(GaN) 전력 디바이스를 기반으로 최대 20A 출력 전류를 제공하며, 뉴 스페이스 및 기존 우주 애플리케이션을 지원한다고 밝혔다.

마이크로칩 고신뢰성 및 RF 사업부 로난 딜런 이사는 “POL-05-20S-T는 고전류 GaN 솔루션으로, 마이크로칩의 우주 전력 포트폴리오를 확장한다”고 말했다.

POL-05-20S-T는 1.51×1.51×0.45인치 크기, 25g 무게의 표면 실장 패키지로 제공된다.

동기식 벅 토폴로지와 전류 모드 제어를 결합해 급격한 부하 변화에도 빠른 응답이 가능하다고 전했다.

입력 전압은 4.75~13.2V, 출력 전압은 0.7~5V로 조정할 수 있어 다양한 시스템 아키텍처에 적용 가능하다.

보호 기능으로는 △원격 센싱 △저전압 및 과전압 보호 △소프트 스타트 △인에이블 핀 △Power Good 표시 핀 △출력 드룹 레귤레이션이 통합돼 있다.

혹독한 우주 방사선 환경을 고려해 최대 50krad 총 이온화 선량(TID) 노출 전후의 전기적 특성이 규정됐으며, 최대 43 MeV·cm²/mg 선형 에너지 전달(LET) 조건에서 단일 이벤트 효과(SEE) 특성 평가를 거쳤다.

전체 부하 조건에서 −55°C~+100°C 온도 범위 동작을 지원한다.

마이크로칩은 POL-05-20S-T를 △EMI 필터 △DC-DC 컨버터 △Hi-Rel 디스크리트 부품 △FPGA △PIC64-HPSC 고성능 우주비행 컴퓨팅 디바이스 등을 포함한 우주 전력 스위트의 일부로 제공한다.

POL-05-20S-T는 현재 양산 수량으로 구매할 수 있으며, 마이크로칩 직접 구매 또는 공인 유통업체를 통해 구입할 수 있다.

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배종인 기자

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