SiC(탄화규소) 전력반도체 결함 판별의 국제 기준으로 15년간 통용돼 온 발광 파장 수치가 국내 연구진에 의해 오류로 확인됐다. 원자 단위의 정밀 분석으로 기존 기준을 바로잡은 이번 성과는 전기차·전력변환 시스템의 품질 검사 정확도를 높이는 데 기여할 것으로 전해진다.

 

한국전기연구원(KERI) 차세대반도체연구센터 나문경 박사팀은 충남대학교 홍순구 교수팀, 호리바에스텍코리아, SK실트론과의 산학연 공동연구를 통해 SiC 반도체 내부 ‘(4,1) 프랭크형 적층결함(Stacking Fault)’의 특성 발광 파장이 기존에 알려진 424nm가 아닌 459nm임을 증명했다고 23일 밝혔다.

 

 

SiC 전력반도체는 고온·고전압 환경에서 전력 변환을 담당하는 부품으로, 전기차와 신재생에너지 설비에 폭넓게 쓰인다.

 

 

이번 연구 결과는 금속·무기재료 분야 학술지 ‘Acta Materialia(JCR 상위 5% 이내)’에 심사위원의 수정 요구 없이 투고 원고 그대로 게재 승인을 받았다.