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OnSemi Unveils Fourth-Generation SiC Platform EliteSiC™ M4…35% Reduction in Power Loss

트렌치 아키텍처 기반, 이전 세대 대비 전력 밀도 최대 30% 향상
AI 데이터센터와 전기차 수요 확대로 전력 시스템의 고밀도·고효율 요건이 갈수록 엄격해지는 가운데, 온세미(onsemi)가 트렌치 아키텍처 기반의 4세대 실리콘 카바이드(SiC) 플랫폼을 출시해 이전 세대 대비 성능과 효율을 대폭 끌어올렸다.
온세미는 11일 4세대 SiC 플랫폼 ‘엘리트SiC™ M4’를 공개했다.
이전 세대와 비교해 전력 밀도와 효율을 최대 30%, 전력 손실을 35% 각각 개선했다고 밝혔다.
적용 대상은 전기차 트랙션 인버터, AI 데이터센터 전력 인프라, 태양광·에너지 저장 장치 등 에너지 인프라 전반이다.
차량 트랙션 인버터용 750V 베어 다이(bare die)는 현재 공급을 개시했으며, 최대 1200V 제품은 2027년부터 순차 출시할 예정이다.
아추트 샤(Achyut Shah) 온세미 전력 솔루션 그룹 사장은 “전력 요구량은 이를 뒷받침하는 물리적 인프라보다 더 빠르게 증가하고 있다”며, “엘리트SiC M4는 고객이 전력, 효율, 크기, 비용 간의 균형을 재정립하는 데 필요한 성능을 결합했다”고 말했다.
단위 면적당 온저항 개선 및 스위칭 손실 감소
엘리트SiC M4는 전도 및 스위칭 성능을 이전 세대 대비 전반적으로 개선했다.
주요 변경 사항은 △단위 면적당 온저항(RSP) 20~50% 저감 및 스위칭 속도 향상 △하드 스위칭·소프트 스위칭 성능 지수 각각 67%·50% 개선 △상단 냉각형 표면실장 패키지 및 고출력 모듈 등 기존 패키지와의 호환 설계 △185℃ 이상 온도 조건 적격성 평가 취득으로 고전압 자동차·우주 애플리케이션 대응 등이다.
시장별 적용 효과 및 파트너사 반응
시장별로는 AI 데이터센터의 경우 고밀도 전력 변환을 통해 메가와트당 컴퓨팅 성능을 높이고 지원 인프라를 줄일 수 있다고 온세미는 설명했다.
전기차 분야에서는 더 작고 효율적인 트랙션 인버터로 주행거리 확대가 가능하며, 에너지 인프라 측면에서는 태양광·에너지 저장 장치 등 고전압 시스템의 변환 손실 절감에 기여한다고 덧붙였다.
셰플러(Schaeffler AG) eMotor 컨트롤 사업부 부사장 하랄드 하르텔(Harald Hartel)은 “더 높은 효율과 전력 밀도는 주행거리, 열 성능, 패키징 측면에서 트랙션 인버터를 최적화할 수 있는 더 큰 유연성을 제공한다”고 밝혔다.
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