인피니언(Infineon Technologies)이 300mm 실리콘 카바이드(SiC) 웨이퍼로 실제 동작하는 전력 디바이스를 구현하는 데 성공했다. 기존 실리콘(Si) 생산 장비를 활용한 실제 반도체 제조 환경에서 이뤄진 성과로, 자동차·재생에너지·AI 데이터센터 등 주요 산업 분야를 겨냥한 SiC 공급 경쟁력 강화에 나선 것으로 풀이된다.

 

인피니언은 12일 오스트리아 빌라흐 공장에서 300mm SiC 웨이퍼 가공에 성공해 전력 디바이스를 구현했다고 밝혔다.

300mm 웨이퍼는 200mm 대비 웨이퍼당 생산 가능한 칩 수가 2.3배 많아 생산 효율을 높일 수 있다고 회사 측은 설명했다.

요흔 하나벡(Jochen Hanebeck) 인피니언 CEO는 “실리콘, 질화갈륨(GaN)에 이어 SiC에서도 300mm 웨이퍼 기술을 구현함으로써 반도체 생산을 확대하고 지속적인 성장을 추진할 수 있는 입지를 확보했다”고 말했다.

 

SiC는 전력 손실 저감, 높은 전력 밀도 구현, 고전압·고온 환경에서의 안정적 동작을 지원하는 전력반도체 소재다.

 

 

인피니언은 Si, SiC, GaN 등 주요 전력반도체 소재 전반에서 300mm 웨이퍼 기술을 갖추게 됐다.