SK하이닉스는 10일 이사회 결의를 거쳐 용인 D램 팹 ‘Y2’에 35조 2,000억 원, 청주 낸드 팹 ‘M17’에 19조 1,000억 원을 투자하기로 결정했다고 밝혔다. 이번 결정은 지난 6월 공표한 중장기 투자 전략을 단계적으로 이행하는 과정의 일환으로, 용인 반도체 클러스터 600조 원·청주 생산기지 100조 원 투입 계획의 후속 조치다.

 

시장조사기관 옴디아(Omdia)는 D램과 낸드 수요가 지난해부터 2030년까지 연평균 19% 성장할 것으로 전망하고 있다. SK하이닉스는 이를 일시적 수요 증가가 아닌, 메모리가 AI 성능을 좌우하는 핵심 인프라로 자리 잡으며 나타나는 구조적 변화로 판단한다고 설명했다.

 

 

Y2는 용인 반도체 클러스터에 순차적으로 건설하는 총 4기 팹 중 두 번째로, 연면적 34만 1,000평 규모의 D램 거점이다. 내년 7월 착공해 2029년 6월 첫 클린룸을 오픈할 계획이며, HBM을 포함한 차세대 D램을 생산한다. 투자는 2031년 10월까지 단계적으로 집행한다. 용인 클러스터의 1단계 전력·용수 인프라는 현재 공정률 99%로 마무리 단계에 접어들었다.

 

M17은 청주캠퍼스에 건설되는 낸드 전용 팹으로 연면적 20만 6,000평 규모다. 청주에는 이미 △M11 △M12 △M15 낸드 팹이 가동 중이어서 기존 인프라와의 연계가 가능하다. 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 클린룸을 열 예정이며, 투자 기간은 2031년 4월까지다.

 

 

SK하이닉스는 팹 건설 일정은 계획대로 진행하되, 클린룸 증설과 장비 투입은 실제 수요 흐름에 맞춰 순차적으로 집행해 투자 효율성을 높인다는 방침이다.

SK하이닉스 관계자는 “이번 투자는 시장 성장 속도에 맞춰 그 기회를 놓치지 않기 위한 결정”이라며 “선제적 생산 기반 확보를 통해 글로벌 AI 반도체 공급망 안정에 기여하는 AI 인프라의 핵심 파트너로 자리매김하겠다”고 말했다.